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    SUD23N06-31 参数 Datasheet PDF下载

    SUD23N06-31图片预览
    型号： SUD23N06-31
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    内容描述： N沟道60 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关脉冲
    文件页数/大小： 9 页 / 723 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SUD23N06-31的Datasheet PDF文件第9页  
    SUD23N06-31
    N沟道
    60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    2.1
    I
    D
    = 15 A
    1.8
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻
    I
    S
    - 源电流（ A）
    V
    GS
    = 10
    V
    10
    T
    J
    = 150 °C
    T
    J
    = 25 °C
    1
    100
    （归一化）
    1.5
    V
    GS
    = 4.5
    V
    1.2
    0.1
    T
    J
    = - 50 °C
    0.9
    0.01
    0.6
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    V
    SD
    - 源极到漏极
    电压
    (V)
    导通电阻与结温
    0.08
    0.5
    源极 - 漏极二极管正向电压
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    0.2
    0.06
    T
    J
    = 125 °C
    0.04
    V
    GS （ TH）
    方差
    (V)
    - 0.1
    I
    D
    = 1毫安
    I
    D
    = 250
    µA
    - 0.7
    - 0.4
    0.02
    T
    J
    = 25 °C
    0.00
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    - 1.0
    - 50
    - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    导通电阻与栅极至源极电压
    500
    100
    阈值电压
    有限
    by
    R
    DS （ ON）
    *
    400
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    10
    10
    µs
    100
    µs
    功率（W）的
    300
    1毫秒
    1
    10毫秒
    100毫秒，直流
    200
    0.1
    100
    T
    C
    = 25 °C
    单脉冲
    0.01
    0.1
    BVDSS有限公司
    0
    0.001
    0.01
    0.1
    时间（s）
    1
    10
    1
    10
    100
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    *
    V
    GS
    >最低
    V
    GS
    at
    哪
    R
    DS （ ON）
    为特定网络版
    单脉冲功率，结到环境
    单脉冲功率，结至外壳
    4/9
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