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SUD23N06-31 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD23N06-31
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内容描述: N沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 9 页 / 723 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD23N06-31
N沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
60
R
DS ( ON)
()
0.031在V
GS
= 10 V
0.045在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
a
9.1
7.6
Q
g
(典型值)。
6.5 NC
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
• TrenchFET
®
功率MOSFET
• 100 % R
g
和UIS测试
•符合RoHS指令2002/95 / EC
应用
TO-252
• DC / DC转换
D
G
的漏极连接到选项卡
G
D
S
S
N沟道MOSFET
顶部
意见
订货信息:
SUD23N06-31 - GE3 (铅( Pb),并且无卤素)
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
T
C
= 25 °C
连续漏电流(T
J
= 150 °C)
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
漏电流脉冲
连续源极 - 漏极二极管电流
单脉冲雪崩电流
雪崩能量
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
最大功率耗散
T
C
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
工作结存储温度范围
T
J
, T
英镑
P
D
I
DM
I
S
I
AS
E
AS
I
D
符号
V
DS
V
GS
极限
60
± 20
21.4
17.1
9.1
a
7.6
a
50
20.8
3.8
a
20
20
31.25
20
5.7
a
3.6
a
- 55〜 150
°C
W
mJ
A
单位
V
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
注意事项:
一。表面安装在1" X 1" FR4板,T
10 s.
t
10 s
稳定状态
符号
R
thJA
R
thJC
典型
18
3.2
最大
22
4.0
单位
° C / W
1/9
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