欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SUD19P06-60 参数 Datasheet PDF下载

SUD19P06-60图片预览
型号: SUD19P06-60
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 677 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SUD19P06-60的Datasheet PDF文件第8页  
SUD19P06-60
P沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
40
1.9
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
I
D
= 10 A
1.6
V
GS
= 10
V
I S - 源电流( A)
10
1.3
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
1.0
0.7
0.4
- 50
1
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
- 结温( ° C)
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
导通电阻与结温
源极 - 漏极二极管正向电压
热额定值
25
100
有限
by
r
DS ( ON)
*
20
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
10
100毫秒
1s
1
10 s
DC
0.1
BVDSS有限公司
T
C
= 25 °C
单脉冲
15
10
5
0.01
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度( ° C)
0.001
0.1
*
V
GS
1
10
100
1000
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
最低
V
GS
at
r
DS ( ON)
为特定网络版
最大漏极电流
与外壳温度
2
1
有效的瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
安全工作区
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10
- 4
10
- 3
10
- 2
10
- 1
1
WAVE
脉冲持续时间(秒)
10
100
600
归瞬态热阻抗,结到环境
4/8
www.freescale.net.cn