SUD19P06-60
P沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ° C，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V，I
D
= - 250 µA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250 µA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= - 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 ° C
V
DS
½
- 5 V, V
GS
= - 10 V
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A，T
J
= 125 °C
V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A，T
J
= 150 °C
V
GS
= - 4.5 V，I
D
= - 5 A
正向跨导
a
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
打开-O FF延迟时间
c
下降时间
c
连续电流
脉冲电流
正向电压
a
反向恢复时间
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= - 19 A，V
GS
= 0 V
I
F
= - 19 A， di / dt的= 100 A / μs的
-1
41
V
DD
= - 30 V ，R
L
= 3
I
D
- 19 A，V
根
= - 10 V ，R
g
= 2.5
F = 1 MHz的
V
DS
= - 30 V, V
GS
= - 10 V，I
D
= - 10 A
V
GS
= 0 V, V
DS
= - 25 V ， F = 1兆赫
1140
130
90
26
4.5
7
7
8
9
65
30
15
15
100
45
ns
40
nC
1710
pF
g
fs
V
DS
= - 15 V，I
D
= - 10 A
0.061
22
- 30
0.048
0.060
0.102
0.120
0.077
S
- 60
-1
-3
± 100
-1
- 50
- 125
A
µA
V
V
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源体二极管及特点
(T
C
= 25 °C)
b
- 30
- 30
- 1.5
61
A
V
ns
注意事项：
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
Ç 。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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