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SUD19N20-90 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SUD19N20-90
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内容描述: N沟道200 V(D -S ), 175 ℃的MOSFET [N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 590 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SUD19N20-90
N沟道
200 V( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(25℃ ,除非另有说明)
40
V
GS
= 10 V到7 V
40
6V
30
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
30
20
20
T
C
= 125 °C
10
25 °C
10
5V
4V
0
0
2
4
6
8
10
- 55 °C
0
0
1
2
3
4
5
6
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
输出特性
70
60
克FS - 跨导(S )
50
25 °C
40
125 °C
30
20
10
0
0
10
20
I
D
- 漏电流( A)
30
40
0.00
0
T
C
= - 55 °C
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.15
0.20
传输特性
0.10
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
0.05
10
20
I
D
- 漏电流( A)
30
40
2500
20
导通电阻与漏电流
2000
Ç - 电容(pF )
C
国际空间站
1500
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
16
V
DS
= 100 V
I
D
= 19 A
12
1000
8
500
C
RSS
0
0
40
80
120
160
200
C
OSS
4
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
电容
栅极电荷
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