SUD19N20-90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SUD19N20-90
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内容描述：	N沟道200 V（D -S ）， 175 ℃的MOSFET [N-Channel 200 V (D-S) 175 Â°C MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 590 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

SUD19N20-90

N沟道

200 V（ D- S） 175℃ MOSFET

产品概述

(V)

200

DS （ ON）

()

0.090在V

= 10 V

0.105在V

= 6 V

(A)

17.5

特点

•

TrenchFET

功率MOSFET

175 ° C的结温

PWM优化

100 % R

经过测试

符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

•初级侧开关

TO-252

的漏极连接到选项卡

顶视图

订货信息：

SUD19N20-90 -E3 （铅（Pb ） - 免费）

N沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（T

= 175 °C)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

200

± 20

136

- 55〜 175

°C

单位

热电阻额定值

参数

结到环境

结至外壳（漏）

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

B 。看到SOA曲线电压降额。



10 s

稳定状态

符号

thJA

thJC

典型

0.85

最大

1.1

° C / W

单位

1/7

www.freescale.net.cn

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