SUD15N06-90L
N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
门体漏
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
g
通态漏电流
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125_C
V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 175_C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
漏极 - 源极导通状态
漏源导通状态电阻
r
DS （ ）
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A，T
J
= 125_C
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A，T
J
= 175_C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5 A
正向跨导
g
fs
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
0.065
11
15
0.050
0.065
0.12
0.15
0.090
S
W
60
1.0
2.0
3.0
"100
1
50
150
A
m
mA
V
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 30 V ，R
L
= 2
W
I
D
^
15 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 2.5
W
V
DS
= 30 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
,
,
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
524
98
28
12
2
3.5
7
8
15
7
20
25
40
20
ns
20
nC
pF
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
c
上升
时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极二极管额定值和特性（T
C
= 25_C)
脉冲电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
I
SM
V
SD
t
rr
I
F
= 15 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 15 A， di / dt的= 100 A / MS
0.9
29
30
1.2
60
A
V
ns
注意事项：
一。对于辅助设计只;不受生产测试。
B 。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
Ç 。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
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