SUD09P10-195 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SUD09P10-195
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内容描述：	P沟道100 V（ D- S）的MOSFET [P-Channel 100 V (D-S) MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	6 页 / 473 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

SUD09P10-195

P沟道100 V（ D- S）的MOSFET

典型特征

25 ℃，除非另有说明

100

- 1.1

- 源电流（ A）

- 1.4

= 150 °C

GS （ TH）

(V)

= 250 μA

- 1.7

= 25 °C

- 2.0

0.1

0.0

0.3

0.6

0.9

1.2

- 2.3

- 50

- 25

100

125

150

- 源极到漏极电压（V ）

- 温度（℃ ）

源极 - 漏极二极管正向电压

1600

- 100

阈值电压

- 漏极至源极电压（ V）

- 106

= 250 μA

- 112

1200

Ç - 电容（pF ）

国际空间站

800

- 118

400

OSS

RSS

100

- 124

- 130

- 50

- 25

100

125

150

- 漏极至源极电压（ V）

- 结温（ ° C）

电容

2.1

= 3.6 A

DS （ ON）

- 导通电阻

1.7

（归一化）

= 4.5 V

1.3

- 漏电流（ A）

= 10 V

漏源击穿与结温

0.9

0.5

- 50

- 25

100

125

150

100

125

150

- 结温（ ° C）

- 外壳温度（ ° C）

导通电阻与结温

电流降额

4/6

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