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    SUD09P10-195 参数 Datasheet PDF下载

    SUD09P10-195图片预览
    型号： SUD09P10-195
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道100 V（ D- S）的MOSFET [P-Channel 100 V (D-S) MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 473 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SUD09P10-195的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SUD09P10-195的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SUD09P10-195的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SUD09P10-195的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SUD09P10-195的Datasheet PDF文件第6页  
    SUD09P10-195
    P沟道100 V（ D- S）的MOSFET
    典型特征
    25 ℃，除非另有说明
    15
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    V
    GS
    = 4 V
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    12
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    0.25
    0.30
    9
    0.20
    V
    GS
    = 4.5 V
    V
    GS
    = 10 V
    0.15
    6
    V
    GS
    = 3 V
    3
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    0.10
    0
    3
    6
    9
    12
    15
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    输出特性
    2.0
    0.60
    导通电阻与漏电流
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    1.6
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    0.45
    T
    J
    = 150 °C
    0.30
    1.2
    0.8
    T
    C
    = 25 °C
    0.4
    T
    C
    = 125 °C
    T
    C
    = - 55 °C
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    T
    J
    = 25 °C
    0.15
    0.00
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    传输特性
    25
    10
    导通电阻与栅极至源极电压
    I
    D
    = 3.6 A
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    20
    T
    C
    = - 55 °C
    15
    T
    C
    = 25 °C
    V
    GS
    - 栅极 - 源极电压（ V）
    8
    V
    DS
    = 50 V
    6
    V
    DS
    = 25 V
    4
    V
    DS
    = 80 V
    2
    10
    T
    C
    = 125 °C
    5
    0
    0
    3
    6
    9
    12
    15
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    Q
    g
    - 总栅极电荷（ NC）
    跨
    栅极电荷
    3/6
    www.freescale.net.cn

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