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SQD50N04-5M6 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SQD50N04-5M6
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内容描述: 汽车N沟道40 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 531 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQD50N04-5m6
汽车N沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
2.1
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
I
D
= 20 A
1.8
V
GS
= 10 V
1.5
I
S
-
来源
电流(A )
10
T
J
= 150
°C
1
100
1.2
0.1
T
J
= 25
°C
0.9
0.01
0.6
- 50 - 25
0.001
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
1.2
导通电阻与结温
0.05
0.5
源漏二极管正向电压
0.04
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
V
GS ( TH)
方差( V)
0.1
0.03
- 0.3
I
D
= 5毫安
- 0.7
I
D
= 250 μA
- 1.1
0.02
0.01
T
J
= 25
°C
0.00
0
2
T
J
= 150
°C
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
10
- 1.5
- 50 - 25
0
25
50
75 100
T
J
- 温度(℃ )
125
150
175
导通电阻与栅极至源极电压
60
I
D
= 10毫安
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
56
阈值电压
52
48
44
40
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
漏源击穿与结温
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