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    SQD50N04-5M6 参数 Datasheet PDF下载

    SQD50N04-5M6图片预览
    型号： SQD50N04-5M6
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    内容描述： 汽车N沟道40 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 531 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQD50N04-5M6的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQD50N04-5M6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQD50N04-5M6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQD50N04-5M6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQD50N04-5M6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQD50N04-5M6的Datasheet PDF文件第7页  
    SQD50N04-5m6
    汽车N沟道
    40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    100
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    80
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    64
    80
    60
    48
    40
    32
    T
    C
    = 25
    °C
    20
    V
    GS
    = 4 V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    10
    16
    T
    C
    = 125
    °C
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    10
    T
    C
    = - 55
    °C
    输出特性
    150
    0.010
    传输特性
    120
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    90
    T
    C
    = 25
    °C
    T
    C
    = 125
    °C
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    T
    C
    = - 55
    °C
    0.008
    0.006
    V
    GS
    = 10 V
    0.004
    60
    30
    0.002
    0
    0
    10
    20
    30
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    40
    50
    0.000
    0
    10
    20
    30
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    40
    50
    跨
    4000
    10
    导通电阻与漏电流
    I
    D
    = 50 A
    3200
    Ç - 电容（pF ）
    C
    国际空间站
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    8
    V
    DS
    = 20 V
    6
    2400
    1600
    4
    800
    C
    RSS
    0
    0
    8
    C
    OSS
    2
    0
    16
    24
    32
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    40
    0
    12
    24
    36
    48
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    60
    电容
    栅极电荷
    3/7
    www.freescale.net.cn

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