SQ4850EY
汽车N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
安装LITTLE FOOT
®
， SO- 8功率MOSFET
沃顿商学院的丹尼尔
表面安装LITTLE FOOT功率MOSFET使用
其中有集成电路和小信号封装
已经被修改，以提供热传递功能
由功率器件所需。引线框架材料及
设计，模塑料和芯片粘接材料具有
被改变，而包的足迹依然
相同。
请参考应用笔记826 ，
推荐最小焊盘
图案随着日前，Vishay Siliconix的外形图访问
的MOSFET ，
(
www.freescale.net.cn
） ，对于
基础的焊盘设计的小脚SO- 8电源
MOSFET。在这个转换，建议最小焊盘
到垫的功率MOSFET设置，设计者必须使
两个连接：一个电连接和热
连接，吸取热量从封装。
在SO-8封装的情况下，其热连接
很简单。销5 ，6，7 ，和8的漏
MOSFET为单个MOSFET封装和连接
在一起。在双包装，销5和图6是一个排放口，并
销7和图8是其他的漏极。对于小信号器件或
集成电路，典型的连接将与作
痕迹是0.020英寸宽。由于漏极引脚用作
提供热连接的附加功能
到包中，连接的这个水平是不充分的。该
铜的总的横截面可以是足以完成
应用所需的电流，但它提出了一个
大热阻抗。还有，热的圆形扩散
方式从热源。在这种情况下，漏极引脚
在热扩散PC上时，看着热源
板。
0.288
7.3
0.288
7.3
0.050
1.27
0.088
2.25
0.027
0.69
0.078
1.98
0.088
2.25
0.2
5.07
图2.双MOSFET SO- 8端口模式
与铜的传播
推荐的最小垫图案为
单的MOSFET的SO-8与铜扩散（图1）和
双MOSFET的SO-8与铜扩散（图2）示出
起点为利用电路板面积可用于
热扩散铜。为了创建这个模式中，飞机
铜覆漏针。铜平面上所连接
漏销电，但更重要的是提供
平面的铜以从漏极引线绘制热和启动
扩散的热量，因此它可以被耗散到的过程
环境空气中。这些模式使用所有可用的面积
身为此下方。
因为表面安装包是小的，和回流
焊接是将这些是最常见的方法
固定到印刷电路板， “热”，从连接
平面铜的焊盘都没有被使用。即使
另外平面覆铜面积使用时，不应该有
问题，在焊接过程。实际焊
连接是通过焊料掩模开口限定。通过
与上铜面结合的基本足迹
漏针，自动发生的阻焊产生。
最后一个项目要记住的是电源走线的宽度。
绝对最小功率走线宽度必须是
由当前的它必须承载的量来确定。为
热的原因，这个最小宽度应该至少
0.020英寸。利用连接到漏极宽迹线
面提供了一个低阻抗路径进行热移动离开
从设备。
0.050
1.27
0.196
5.0
0.027
0.69
0.078
1.98
0.2
5.07
图1.单MOSFET SO- 8垫
图案铜传播
8 / 10
www.freescale.net.cn
SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
