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型号: SQ4850EY
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内容描述: 汽车N沟道60 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 940 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ4850EY
汽车N沟道
60 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
2.5
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
I
D
= 6 A
2.1
V
GS
= 10
V
1.7
I
S
- 源电流( A)
10
T
J
= 150 °C
1
T
J
= 25 °C
0.1
100
1.3
0.9
0.01
0.5
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.0
0.2
T
J
- 结温( ° C)
1.0
0.4
0.6
0.8
V
SD
- 源极到漏极
电压
(V)
1.2
导通电阻与结温
0.15
0.6
源漏二极管正向电压
0.3
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.12
V
GS ( TH)
方差
(V)
0
0.09
- 0.3
I
D
= 5毫安
- 0.6
I
D
= 250 µA
- 0.9
0.06
T
J
= 125 °C
0.03
T
J
= 25 °C
0.00
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V
GS
- 栅极 - 源极
电压
(V)
9
10
- 1.2
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 温度(℃ )
导通电阻与栅极至源极电压
75
I
D
= 1毫安
V
DS
- 漏 - 源
电压
(V)
72
阈值电压
69
66
63
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
漏源击穿与结温
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