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    SQ4532EY 参数 Datasheet PDF下载

    SQ4532EY图片预览
    型号： SQ4532EY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车的N-沟道和P沟道30 V （ DS ） 175 ℃的MOSFET [Automotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 15 页 / 1324 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ4532EY
    汽车的N-沟道和P沟道
    30 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    N沟道典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    20
    V
    GS
    = 10 V通6 V
    16
    V
    GS
    = 5 V
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    18
    15
    12
    12
    9
    T
    C
    = 25
    °C
    6
    8
    V
    GS
    = 4 V
    4
    V
    GS
    = 3 V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    10
    3
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    10
    输出特性
    2.0
    传输特性
    15
    T
    C
    = - 55
    °C
    1.6
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    12
    T
    C
    = 25
    °C
    我 - 漏电流（ A）
    1.2
    9
    0.8
    D
    T
    C
    = 25
    °C
    6
    T
    C
    = 125
    °C
    0.4
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    3
    0.0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    4
    5
    传输特性
    跨
    0.25
    600
    0.20
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    Ç - 电容（pF ）
    500
    C
    国际空间站
    400
    0.15
    V
    GS
    = 4.5 V
    300
    0.10
    V
    GS
    = 10 V
    0.05
    200
    C
    OSS
    100
    C
    RSS
    0.00
    0
    4
    8
    12
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    16
    20
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    30
    导通电阻与漏电流
    电容
    4 / 15
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