欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SQ4532EY 参数 Datasheet PDF下载

SQ4532EY图片预览
型号: SQ4532EY
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 汽车的N-沟道和P沟道30 V ( DS ) 175 ℃的MOSFET [Automotive N-and P-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 1324 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SQ4532EY的Datasheet PDF文件第13页  
SQ4532EY
汽车的N-沟道和P沟道
30 V ( D- S) 175℃ MOSFET
P- CHANNEL典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
10
2.0
8
I
D
= 2.5 A
V
DS
= 15 V
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
I
D
= 3.9 A
1.7
V
GS
= 10 V
1.4
6
4
1.1
2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
- 总
费( NC )
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
栅极电荷
100
导通电阻与结温
0.50
10
I
S
-
来源
电流(A )
T
J
= 150
°C
1
0.40
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.30
0.1
T
J
= 25
°C
0.01
0.20
T
J
= 150
°C
0.10
T
J
= 25
°C
0.001
0.0
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
1.2
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
10
源漏二极管正向电压
1.0
导通电阻与栅极至源极电压
- 29
- 30
I
D
= 1毫安
0.7
V
GS ( TH)
方差( V)
I
D
= 250 μA
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
175
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- 50
0.4
I
D
= 5毫安
0.1
- 0.2
- 0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
- 25
T
J
- 温度(℃ )
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结温( ° C)
150
175
阈值电压
漏源击穿与结温
9 / 15
www.freescale.net.cn