SQ3426EEV
汽车N沟道
60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
安装LITTLE FOOT
R
TSOP - 6功率MOSFET
表面贴装功率MOSFET封装已根据
集成电路和小信号的包。这些软件包
已被修改，以提供在热传递的改进
由功率MOSFET所需。引线框架材料和设计，
模塑料和芯片粘接材料已
改变了。什么一直保持不变的是对的足迹
包。
因为表面安装的包是小的，并且回流焊接
是焊接的表面贴装的最常见形式
组件， “热”连接从平面铜须
垫还没有被使用。即使额外的平面铜区
使用时，应在焊接过程中没有问题。该
实际焊接连接是由阻焊限定
开口。通过与铜面结合的基本足迹
在漏针，自动发生的焊料掩模生成。
最后一个项目要记住的是电源走线的宽度。该
绝对最低功率走线宽度必须由确定
电流的量具有携带。对于热的原因，这
最小宽度应该至少0.020英寸。使用宽
连接到漏极平面迹线提供了一个低阻抗
摆脱了设备路径的热量。
的焊盘设计的基础，表面贴装功率MOSFET
是基本的足迹为包。对于TSOP -6封装
外形图看
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看
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对于最小垫足迹。
在覆盖区转换到焊盘组的功率MOSFET ，则
必须记住，你不仅想使电
连接包，但你必须做的热连接
并提供从包装绘制热的装置，并将其移动
距包。
在TSOP -6封装的情况下，该电连接是
很简单的。引脚1,2 ， 5和6是该MOSFET的漏极和
被连接在一起。对于小信号器件或集成
电路中，典型的连接将与痕迹是进行
0.020英寸宽。由于漏极引脚用作额外
功能提供到封装的热连接的，这样
连接的水平是不够的。的总截面
铜可以是足以完成所需的电流
的应用，但它提出了一个大的热阻抗。此外，热
敷于从热源循环的方式。在这种情况下
漏极引脚是热源看时的热扩散
PC板。
图1示出了铜的扩散，推荐足迹
在TSOP -6封装。此图案示出的起点
利用电路板面积可用于热扩散铜。对
创建这个模式中，铜的平面重叠的基本模式
引脚1,2,5和6的铜层连接漏极引脚
电性，但更重要的是提供平坦的铜画
从漏热导致，并开始传播的过程
热，所以它可以被消散到周围空气中。注意，该
平面铜的形状像一个“T” ，以从移动的热量
漏导致四面八方。这种模式使用所有可用的面积
身为此下方。
0.167
4.25
再溢流焊接
日前，Vishay Siliconix的表面贴装封装符合回流焊
可靠性要求。器件经受回流焊接作为
测试预处理和随后的可靠性测试使用
温度循环，湿度偏差， HAST ，或压力罐。该
焊接采用回流焊温度曲线和温度，
持续时间时，示于图2和图3 。
升温速率
0.014
0.35
0.026
0.65
0.074
1.875
0.122
3.1
+ 6_C /秒最大
最大120秒
70
−
180秒
240 +5/−0_C
20
−
40秒
+ 6_C /秒最大
温度@ 155
＆ QUOT ;
15_C
温度高于180_C
最高温度
在最高温度的时间
0.049
1.25
0.049
1.25
0.010
0.25
下降斜率
图1 。
推荐铜传播足迹
图2中。
焊锡溢流温度廓线
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