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    SQ3426EEV 参数 Datasheet PDF下载

    SQ3426EEV图片预览
    型号： SQ3426EEV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 汽车N沟道60 V （D -S ）， 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 11 页 / 871 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SQ3426EEV的Datasheet PDF文件第9页  
    SQ3426EEV
    汽车N沟道
    60 V （ D- S） 175℃ MOSFET
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    15
    V
    GS
    = 10
    V
    直通5
    V
    12
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    V
    GS
    = 4
    V
    9
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    15
    12
    9
    6
    6
    T
    C
    = 25 °C
    3
    T
    C
    = 125 °C
    3
    V
    GS
    = 3 V
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    5
    0
    0
    1
    2
    3
    T
    C
    = - 55 °C
    4
    5
    V
    GS
    - 栅极 - 源极
    电压
    (V)
    输出特性
    25
    0.15
    传输特性
    T
    C
    = - 55 °C
    15
    T
    C
    = 25 °C
    10
    T
    C
    = 125 °C
    5
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    20
    0.12
    0.09
    V
    GS
    = 4.5
    V
    V
    GS
    = 10
    V
    0.03
    0.06
    0
    0
    2
    4
    6
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    8
    10
    0.00
    0
    3
    6
    9
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    12
    15
    跨
    1000
    10
    导通电阻与漏电流
    V
    DS
    = 30 V
    I
    D
    = 4 A
    800
    Ç - 电容（pF ）
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    8
    600
    C
    国际空间站
    6
    400
    4
    200
    C
    OSS
    C
    RSS
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    电容
    栅极电荷
    3 / 11
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