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SQ3418EEV 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SQ3418EEV
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内容描述: 汽车N沟道40 V (D -S ), 175 ℃的MOSFET [Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 886 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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SQ3418EEV
汽车N沟道
40 V ( D- S) 175℃ MOSFET
典型特征
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
0.15
1000
C
国际空间站
800
Ç - 电容(pF )
0.12
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.09
V
GS
= 4.5 V
0.06
V
GS
= 10 V
0.03
600
400
C
OSS
200
C
RSS
0.00
0
6
12
18
I
D
- 漏电流( A)
24
30
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
35
40
导通电阻与漏电流
5
电容
2.0
R
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
I
D
= 5 A
1.7
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
4
I
D
= 4 A
V
DS
= 20 V
3
1.4
V
GS
= 10 V
2
1.1
1
0.8
0
0
2
4
6
8
Q
g
- 总
费( NC )
10
0.5
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T
J
- 结温( ° C)
栅极电荷
100
导通电阻与结温
0.25
10
I
S
-
来源
电流(A )
T
J
= 150
°C
1
0.20
R
DS ( ON)
- 导通电阻( Ω )
0.15
0.1
T
J
= 25
°C
0.01
0.10
T
J
= 150
°C
0.05
T
J
= 25
°C
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
-
源极到漏极
电压(V)的
0.00
0
2
4
6
8
V
GS
-
栅极 - 源
电压(V)的
10
源极 - 漏极二极管正向电压
导通电阻与栅源电压
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