SQ3418EEV
汽车N沟道
40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
特定网络阳离子
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
门源阈值电压
栅源漏
V
DS
V
GS （ TH）
I
GSS
V
GS
= 0, I
D
= 250 μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 20 V
V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
漏源导通电阻
a
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
前锋
跨
b
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
g
t
D（上）
t
r
时间
c
t
D（关闭）
t
f
I
SM
V
SD
I
F
= 3 A，V
GS
= 0
V
DD
= 20 V ，R
L
= 4
I
D
5 A，V
根
= 10 V ，R
g
= 1
F = 1 MHz的
V
GS
= 4.5 V
V
DS
= 20 V，I
D
= 4 A
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
动态
b
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
c
栅极 - 源电荷
c
栅极 - 漏极电荷
c
栅极电阻
导通延迟时间
c
上升时间
c
关断延时
下降时间
c
脉冲电流
a
正向电压
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
-
-
-
-
528
112
76
7.1
1.7
3.7
2.4
8
8
15
7
-
0.8
660
140
95
11
-
-
3.6
12
12
23
11
32
1.2
A
V
ns
nC
pF
V
DS
= 40 V
V
DS
= 40 V ，T
J
= 125 °C
V
DS
= 40 V ，T
J
= 175 °C
V
DS
5
V
I
D
= 5 A
I
D
= 5 A，T
J
= 125 °C
I
D
= 5 A，T
J
= 175 °C
I
D
= 4 A
40
1.5
-
-
-
-
-
10
-
-
-
-
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
0.026
-
-
0.040
13
-
2.5
± 500
±1
1
50
150
-
0.032
0.050
0.061
0.048
-
S
A
μA
V
nA
mA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
= 15 V，I
D
= 4 A
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
C
= 25 °C
b
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
Ç 。独立的工作温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
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