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MC8814 参数 Datasheet PDF下载

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型号: MC8814
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内容描述: 双N沟道逻辑电平MOSFET高性能沟道技术 [Dual N-Channel Logical Level MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 325 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO8 8月14日/ MC8 8月14日
典型电气特性( N沟道)
100
V
GS
= 0V
0.09
I
S
,反向漏电流( A)
I
D
= 2.25A
R
DS ( ON)
,导通电阻( OHM )
0.07
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
,体二极管正向电压( V)
1.2
o
T
A
= 125 C
25
o
C
o
0.05
T
A
= 125
o
C
0.03
-55 C
T
A
= 25
o
C
0.01
0
2
4
6
8
V
GS
,门源电压( V)
10
源极 - 漏极二极管正向电压
-Vth ,栅源THRESTHOLD
电压(V)的
2.2
P( PK) ,峰值瞬态功率( W)
50
VDS = VGS
ID = -250mA
导通电阻与栅极至源极电压
单脉冲
R
θ
JA
= 208 ° C / W
T
A
= 25°C
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
-50
-25
0
25
50
75
40
30
20
10
100 125
150 175
0
0.001
0.01
0.1
TA ,环境温度(℃ )
1
t
1
,时间(秒)
10
100
1000
VTH门源电压与温度
单脉冲功率,结到环境
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
R
θJA
(吨) = R (t)的R *
θJA
R
θJA
= 208 ° C / W
P( PK)
0.02
0.01
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.01
单脉冲
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
1
,时间(秒)
1
10
100
1000
归热瞬态结到环境
4
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