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    MC8814 参数 Datasheet PDF下载

    MC8814图片预览
    型号： MC8814
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双N沟道逻辑电平MOSFET高性能沟道技术 [Dual N-Channel Logical Level MOSFET High performance trench technology]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 325 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号MC8814的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MC8814的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MC8814的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MC8814的Datasheet PDF文件第5页  
    飞思卡尔
    AO8 8月14日/ MC8 8月14日
    典型电气特性（ N沟道）
    30
    V
    GS
    = 10.0V
    25
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    20
    4.5V
    30
    3.0V
    25
    V
    DS
    = 5V
    T
    A
    = -55
    o
    C
    125
    o
    C
    2.5V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    3.5V
    20
    25
    o
    C
    15
    15
    10
    2.0V
    10
    5
    5
    0
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    0
    0.5
    1
    1.5
    2
    2.5
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    3
    3.5
    输出特性
    2.4
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    V
    GS
    = 2.0V
    900
    传输特性
    2.2
    电容（pF）
    F = 1MHz的
    V
    GS
    = 0 V
    600
    C
    国际空间站
    2
    1.8
    1.6
    2.5V
    1.4
    1.2
    1
    0.8
    0
    5
    3.0V
    3.5V
    4.0V
    4.5V
    10.0V
    300
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    10
    15
    20
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    25
    30
    0
    4
    8
    12
    16
    V
    DS
    ，漏源极电压（ V）
    20
    导通电阻与漏电流
    5
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    15V
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    1.6
    电容
    I
    D
    = 4.5A
    4
    V
    DS
    = 5V
    I
    D
    = 4.5A
    V
    GS
    = 10V
    1.4
    10V
    3
    1.2
    2
    1
    1
    0.8
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    Q
    g
    ，栅极电荷（ NC）
    6
    7
    8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    o
    T
    J
    ，结温（ C）
    125
    150
    栅极电荷
    导通电阻与结温
    3
    www.freescale.net.cn

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