MC6602 参数 Datasheet PDF下载

型号：	MC6602
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内容描述：	氮磷通道32 -V （ DS ） MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 524 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

飞思卡尔

AO6 6 02 / MC6 6 02

典型电气特性（ P沟道）

DS （ ON）

- 导通电阻（ OHM ）

0.8

1.0

1.2

0.4

- 源电流（ A）

= 125

0.1

0.01

0.3

0.2

0.001

0.1

0.0001

0.0

0.2

0.4

0.6

- 源极到漏极电压（V ）

- 栅极 - 源极电压（ V）

源极 - 漏极二极管正向电压

2.2

= -250µA

GS （ TH）

方差（ V）

导通电阻vs.Gate至源极电压

1.8

1.6

功率（W）的

-50

-25

1.4

1.2

100

125

150

0.01

0.1

时间（秒）

100

- 温度（℃ ）

标准化的有效瞬态热

阈值电压

D =0.5

单脉冲功率

0.2

θJA

（吨） = R （t）的R *

θJA

= 125℃ / W

0.1

阻抗

0.1

0.05

P（ PK

0.02

0.01

- T

= P *

θJA

(t)

占空比D = T

0.01

单脉冲

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

方波脉冲持续时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

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