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MC6602 参数 Datasheet PDF下载

MC6602图片预览
型号: MC6602
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内容描述: 氮磷通道32 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 524 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO6 6 02 / MC6 6 02
典型电气特性( P沟道)
5
V
GS
=-10V
4
I
D
- 漏电流( A)
I
D
- 漏电流( A)
-4.5V
4
125
o
C
3
5
T
A
= -55
o
C
25
o
C
3
2
-3.0V
1
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
输出特性
800
2.5
r
DS ( ON)
,归一化导通电阻
传输特性
Ç - 电容(pF )
600
C
国际空间站
400
C
OSS
2.0
-4.5V
1.5
200
C
RSS
0
0
6
1.0
-10V
0.5
0
1
2
3
4
5
I
D
- 漏电流( A)
12
18
24
30
VDS - 德雷酒店正对源卷踏歌( V)
导通电阻与漏电流
-10
电容
1.6
r
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
V
GS
= -10V
1.4
V
GS
- 栅极 - 源极电压(V
-8
-6
1.2
-4
1
-2
0.8
0
0
2
4
6
8
10
12
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
T
J
- 结温( C)
栅极电荷
导通电阻与结温
5
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