IRFU18N15D 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFU18N15D
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内容描述：	HEXFETÂ®功率MOSFET [HEXFETÂ® Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 334 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

IRFR18N15D/IRFU18N15D

10000

= 11A

= 120V

= 75V

= 30V

，栅 - 源极电压（ V）

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

DS短路

CRSS = C

COSS = C + C

C，电容（pF ）

1000

西塞

科斯

100

CRSS

100

1000

测试电路

见图13

VDS ，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，反向漏电流（ A）

= 175

= 25

，漏电流（ A）

100

10us

100us

0.1

0.2

= 0 V

0.5

0.8

1.1

1.4

= 25 ° C

= 175 ° C

单脉冲

100

1ms

10ms

1000

，源极到漏极电压（V ）

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4 / 10

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