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    IRFU18N15D 参数 Datasheet PDF下载

    IRFU18N15D图片预览
    型号： IRFU18N15D
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 334 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IRFU18N15D的Datasheet PDF文件第8页  
    IRFR18N15D/IRFU18N15D
    静态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    参数
    V
    （ BR ） DSS
    漏极至源极击穿电压
    ∆V
    （ BR ） DSS
    /∆T
    J
    击穿电压温度。系数
    R
    DS （ ON）
    静态漏 - 源极导通电阻
    V
    GS （ TH）
    栅极阈值电压
    I
    DSS
    I
    GSS
    漏极至源极漏电流
    栅 - 源正向漏
    栅 - 源反向漏
    分钟。
    150
    –––
    –––
    3.0
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    0.17
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    MAX 。单位
    条件
    –––
    V
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 250µA
    --- V / ° C参考到25° C，I
    D
    = 1毫安
    †
    0.125
    Ω
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 11A
    „
    5.5
    V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    25
    V
    DS
    = 150V, V
    GS
    = 0V
    µA
    250
    V
    DS
    = 120V, V
    GS
    = 0V ，T
    J
    = 150°C
    100
    V
    GS
    = 30V
    nA
    -100
    V
    GS
    = -30V
    动态@ T
    J
    = 25 ℃（除非另有规定）
    g
    fs
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    C
    OSS
    EFF 。
    参数
    正向跨导
    总栅极电荷
    栅极 - 源极充电
    栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    输出电容
    输出电容
    有效输出电容
    分钟。
    4.2
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    –––
    典型值。
    –––
    28
    7.6
    14
    8.8
    25
    15
    9.8
    900
    190
    49
    1160
    88
    95
    MAX 。单位
    条件
    –––
    S
    V
    DS
    = 50V ，我
    D
    = 11A
    43
    I
    D
    = 11A
    11
    NC V
    DS
    = 120V
    21
    V
    GS
    = 10V,
    „
    –––
    V
    DD
    = 75V
    –––
    I
    D
    = 11A
    ns
    –––
    R
    G
    = 6.8Ω
    –––
    V
    GS
    = 10V
    „
    –––
    V
    GS
    = 0V
    –––
    V
    DS
    = 25V
    –––
    pF
    ƒ = 1.0MHz的
    –––
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 1.0V ， ƒ = 1.0MHz的
    –––
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 120V ， ƒ = 1.0MHz的
    –––
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 0V至120V
    …
    雪崩特性
    参数
    E
    AS
    I
    AR
    E
    AR
    单脉冲雪崩能量？
    雪崩电流？
    重复性雪崩能量？
    典型值。
    –––
    –––
    –––
    马克斯。
    200
    11
    11
    单位
    mJ
    A
    mJ
    热阻
    参数
    R
    θJC
    R
    θJA
    R
    θJA
    结到外壳
    结到环境（印刷电路板安装） *
    结到环境
    参数
    连续源电流
    （体二极管）
    脉冲源电流
    （体二极管）
    
    二极管的正向电压
    反向恢复时间
    反向RecoveryCharge
    向前开启时间
    典型值。
    –––
    –––
    –––
    分钟。典型值。马克斯。单位
    马克斯。
    1.4
    50
    110
    单位
    ° C / W
    二极管的特性
    I
    S
    I
    SM
    V
    SD
    t
    rr
    Q
    rr
    t
    on
    条件
    D
    MOSFET符号
    18
    ––– –––
    展示
    A
    G
    整体反转
    72
    ––– –––
    S
    p-n结二极管。
    ––– ––– 1.3
    V
    T
    J
    = 25 ° C，I
    S
    = 11A ，V
    GS
    = 0V
    „
    ––– 130 190
    ns
    T
    J
    = 25 ° C，I
    F
    = 11A
    ––– 660 980
    nC
    的di / dt = 100A / μs的
    „
    固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
    S
    +L
    D
    )
    2 / 10
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