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IRFR5410 参数 Datasheet PDF下载

IRFR5410图片预览
型号: IRFR5410
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 410 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U5410
2000
1600
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
I
D
= -8.4A
V
DS
=-80V
V
DS
=-50V
V
DS
=-20V
C,电容(pF )
15
1200
C
国际空间站
10
800
C
OSS
C
RSS
5
400
0
1
10
100
A
0
0
10
20
30
测试电路
见图13
40
50
60
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
-I
SD
,反向漏电流( A)
T
J
= 150
°
C
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
10
-I
D
,漏电流( A)
I
100
10us
T
J
= 25
°
C
1
10
100us
0.1
0.2
V
GS
= 0 V
0.8
1.4
2.0
2.6
1
1
T
C
= 25° C
T
J
= 150° C
单脉冲
10
1ms
10ms
100
1000
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
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