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IRFR5410 参数 Datasheet PDF下载

IRFR5410图片预览
型号: IRFR5410
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 410 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U5410
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
漏极至源极击穿电压
DV
( BR ) DSS
/ DT
J
击穿电压温度。系数
R
DS ( ON)
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS ( TH)
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
-100
–––
–––
-2.0
3.2
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
-0.12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
15
58
45
46
4.5
7.5
760
260
170
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= -250µA
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= -1.0mA
0.205
W
V
GS
= -10V ,我
D
= -7.8A
„
-4.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250µA
–––
S
V
DS
= -50V ,我
D
= -7.8A
-25
V
DS
= -100V, V
GS
= 0V
µA
-250
V
DS
= -80V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
58
I
D
= -8.4A
8.3
nC
V
DS
= -80V
32
V
GS
= -10V ,见图。 6和13
„†
–––
V
DD
= 50V
–––
I
D
= -8.4A
ns
–––
R
G
= 9.1W
–––
R
D
= 6.2W ,参照图10
„†
D
铅之间,
–––
6毫米(0.25英寸)。
nH
G
从包
–––
与模具接触中心?
S
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -25V
–––
ƒ = 1.0MHz的,见图。 5 ?
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)

二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
––– ––– -13
展示
A
G
整体反转
––– ––– -52
p-n结二极管。
S
––– ––– -1.6
V
T
J
= 25 ° C,I
S
= -7.8A ,V
GS
= 0V
„
––– 130 190
ns
T
J
= 25 ° C,I
F
= -8.4A
––– 650 970
NC的di / dt = 100A / μs的
„†
固有的导通时间是可以忽略的(导通用L为主
S
+L
D
)
注意事项:

重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
‚
起始物为
J
= 25℃时,L = 6.4mH
R
G
= 25W ,我
AS
= -7.8A 。 (参见图12)
ƒ
I
SD
£
-7.8A , di / dt的
£
200A / μs的,V
DD
£
V
( BR ) DSS
,
T
J
£
150°C
„
脉冲宽度
£
300μS ;占空比
£
2%.
…
这个被施加用于I -PAK ,L-
S
的D- PAK时之间测量
铅和模具呼叫中心
†
使用IRF9530N数据和试验条件。
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