IRFR540Z 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFR540Z
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内容描述：	HEXFETÂ®功率MOSFET [HEXFETÂ® Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 678 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

IRFR/U540Z

2.5

RDS （ ON）时，漏 - 源极导通电阻

ID = 21A

2.0

VGS = 10V

ID ，漏电流（ A）

（归一化）

1.5

1.0

100

125

150

175

0.5

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TC ， CaseTemperature （ ° C）

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

热响应（Z thJC ）

D = 0.50

0.20

0.10

0.1

0.05

0.02

0.01

RI（ ° C / W）

τi

（秒）

2.626

0.000052

0.6611

0.7154

0.001297

0.01832

0.01

CI-

τi /日

单脉冲

（热反应）

0.001

1E-006

1E-005

0.0001

0.001

注意事项：

1.占空比D = T1 / T2

2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝

0.01

0.1

T1 ，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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