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IRFR540Z 参数 Datasheet PDF下载

IRFR540Z图片预览
型号: IRFR540Z
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内容描述: HEXFET®功率MOSFET [HEXFET® Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 678 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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IRFR/U540Z
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
∆V
( BR ) DSS
/∆T
J
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
28
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.092
22.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
39
11
12
14
42
43
34
4.5
7.5
1690
180
100
720
110
190
–––
–––
28.5
4.0
–––
20
250
200
-200
59
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
mΩ
V
S
µA
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 21A
V
DS
= 25V ,我
D
= 21A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 21A
V
DS
= 50V
V
GS
= 10V
V
DD
= 50V
I
D
= 21A
R
G
= 13
V
GS
= 10V
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50µA
e
e
e
铅之间,
6毫米(0.25英寸)。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
ƒ = 1.0MHz的
G
D
S
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 80V , ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
32
40
35
A
140
1.3
48
60
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 21A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 21A ,V
DD
= 50V
的di / dt = 100A / μs的
Ù
e
e
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
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