IRFB4310 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IRFB4310
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内容描述：	HEXFET ？功率MOSFET [HEXFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 740 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

IRF/B/S/SL4310

1000.0

10000

TJ = 175℃

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

ISD ，反向漏电流（ A）

在这一领域

限于由R DS （ ON）

1000

100.0

100

100µsec

10.0

TJ = 25°C

1.0

VGS = 0V

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1msec

10msec

100

1000

0.1

VSD ，源极到漏极电压（V ）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

140

不限按包

120

ID ，漏电流（ A）

图8 。

最大安全工作区

V（ BR ） DSS ，漏极至源极击穿电压

120

100

125

150

175

TC ，外壳温度（ ° C）

115

110

105

100

-60 -40 -20 0

20 40 60 80 100 120 140 160 180

TJ ，结温（ ° C）

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

EAS ，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）

4.0

3.5

3.0

图10 。

漏极至源极击穿电压

2400

2000

I D

顶部

12A

17A

底部

75A

1600

能量（ μJ ）

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

100

120

1200

800

400

100

125

150

175

VDS ，漏极至源极电压（ V）

开始TJ ，结温（ ° C）

图11 。

典型的C

OSS

储能

图12 。

最大雪崩能量对比DrainCurrent

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