IRF/B/S/SL4310
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏极至源极击穿电压
分钟。典型值。马克斯。单位
100
–––
–––
2.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
0.064
5.6
–––
–––
–––
–––
–––
1.4
–––
–––
7.0
4.0
20
250
200
-200
–––
Ω
nA
V
条件
V
GS
= 0V时，我
D
= 250µA
∆V
（ BR ） DSS
/∆T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
G
栅极阈值电压
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
门输入电阻
V / ℃参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
毫欧V
GS
= 10V ，我
D
= 75A
V
µA
g
d
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V ，T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
F = 1MHz时，漏极开路
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
政府飞行服务队
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。典型值。马克斯。单位
160
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
170
46
62
26
110
68
78
7670
540
280
650
720.1
–––
250
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
S
nC
I
D
= 75A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V
V
DD
= 65V
I
D
= 75A
R
G
= 2.6Ω
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 50V
ƒ = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
条件
V
DS
= 50V ，我
D
= 75A
g
g
j
，参见图11
= 0V至80V
h
，参照图五
条件
D
C
OSS
EFF 。 （ ER ）的有效输出电容（能源相关）
C
OSS
EFF 。 （ TR ）有效输出电容（时间相关）
h
i
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至80V
二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 140
–––
–––
45
55
82
120
3.3
A
MOSFET符号
展示
整体反转
G
-dI
550
1.3
68
83
120
180
–––
A
nC
V
ns
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= 75A ，V
GS
= 0V
V
R
= 85V,
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
S
g
g
I
F
= 75A
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通通过LS为主+ LD）的
注意事项：
基于最大允许结计算的连续电流
温度。套餐限制电流为75A
重复评价;脉冲宽度有限的最大值。连接点
温度。
限制T
JMAX
，起始物为
J
= 25℃时，L = 0.35mH
R
G
= 25Ω, I
AS
= 75A ，V
GS
= 10V 。部分不推荐使用
高于此值。
I
SD
≤
75A ， di / dt的
≤
550A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
J
≤
175°C.
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
C
OSS
EFF 。 （TR）是一个固定的电容，赋予相同的充电时间
为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
C
OSS
EFF 。 （ER）是一种固定电容，赋予相同的能量
C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
DSS
.
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。对于RECOM
谁料足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
R
θ
测定在T
J
约90℃的
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