AOT502 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AOT502
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内容描述：	夹N沟道MOSFET [Clamped N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	7 页 / 834 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AOT502

夹N沟道MOSFET

典型保护特性

2.00

海沟BV

1.50

(A)

钳

1.00

0.50

DSS （ Z）

0.00

（伏）

图15： BV

钳

特征

本设备使用内置的栅极至源极和栅极到漏极齐纳

保护。而门源稳压防止过度

条件下，栅漏保护，夹在V

WELL

该器件击穿下方，防止雪崩状态

该MOSFET作为电压过冲的在流失的结果中

电极。

据该器件击穿前精心设计击穿。

在这种情况下，电流流过齐纳钳位电路，其

是栅漏之间的内部位于。在这个电流流过

DSS （ Z）

，建立了V

在器件内部。当电流

过齐纳电平达到约300毫安中，V

约等于V

GS （高原）

，让显著通道

导通，从而夹紧漏极至源极电压。在V

需要打开设备的电源进行控制的内部集总

栅极电阻R大约等于10Ω 。

GS （高原）

= 10Ω X 300毫安= 3V

这也可以说是夹持在VDS等于：

DSS

= BV

钳

+ V

GS （高原）

与保护电路相关的附加功率损耗可

可以忽略不计的时候比较的导通损耗

MOSFET本身;

例如：

PL = 30μAmax X 16V = 0.48mW

PL(rds)=10

一λ 6MΩ = 300mW的

（齐纳二极管的泄漏损失）

（ MOSFET的损耗）

高原

60.00

50.00

ID （ A） / Vds的（ V）

40.00

30.00

20.00

10.00

0.00

0.00E+0 2.50E-

钳

25 C

钳

100

5.00E-

7.50E-

1.00E-

1.25E-

在雪崩时间（秒）

图16 ：松开感应开关

Fig16 ：内置栅极到漏极钳位防止设备进入

进入雪崩通过设置钳位电压远低于实际

该器件的击穿。当漏极至栅极电压的方法

在BV钳，内部栅极至源极电压充电和

渠道传导发生，下沉当前安全通过

装置。在BV

钳

几乎与温度无关，提供

正常运行期间，甚至更大的保障。

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