AOT502
夹N沟道MOSFET
概述
AOT502采用了优化设计，温度补偿的栅 - 漏齐纳钳位。在过压
条件下，钳位激活和接通MOSFET ，安全地耗散能量在MOSFET 。
内置的电阻保证正确夹紧操作的所有电路的条件下，并且在MOSFET从不
进入雪崩击穿。先进的沟槽技术，提供优异的低导通电阻，栅极电荷和体二极管
特点，使得该器件非常适用于电机和电感性负载控制应用。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
夹
60A
< 11.5mΩ
顶视图
D
TO220
底部视图
D
G
10Ω
G
D
S
S
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
夹
夹
60
41
137
9
7
28.5
41
79
39
1.9
1.2
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
如，
I
AR
E
如，
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
A
AD
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
13
54
1.6
最大
15.6
65
1.9
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/7
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