AOT424
N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1
110
3
4.7
4.3
106
0.72
1
85
3700
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
700
390
0.54
59.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
30.4
9.5
19.8
12.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2
3
4
6
5.5
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
4400
0.7
72
37
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
35.5
40
32.5
35.3
30.7
42
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度FO 175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
Rev4 ： 2008年7月
2
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