AOT424
N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AOT424采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和低
栅极电阻。此装置非常适合于用作CPU核心电源转换的低侧开关。
标准产品AOT424是无铅的(符合ROHS &索尼259规格) 。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 110A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 4MΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 5.5mΩ (V
GS
= 4.5V)
TO-220
D
G
S
G
D
S
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
最大
30
±20
110
88
200
30
112
100
50
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
V
GS
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
B
T
C
=100°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
C
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14.2
39
0.8
最大
20
50
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
www.freescale.net.cn