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    AOT11N60 参数 Datasheet PDF下载

    AOT11N60图片预览
    型号： AOT11N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 600V ，11A N沟道MOSFET [600V,11A N-Channel MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 6 页 / 642 K
    品牌： SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
     浏览型号AOT11N60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AOT11N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AOT11N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AOT11N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AOT11N60的Datasheet PDF文件第6页  
    AOT11N60/AOTF11N60
    600V ，11A N沟道MOSFET
    典型的电气和热特性
    15
    V
    DS
    =480V
    I
    D
    =11A
    1000
    电容（pF）
    V
    GS
    （伏）
    9
    C
    OSS
    100
    10000
    C
    国际空间站
    12
    6
    10
    3
    C
    RSS
    1
    0
    20
    30
    40
    Q
    g
    （ NC ）
    图7 ：栅极电荷特性
    10
    50
    0.1
    10
    V
    DS
    （伏）
    图8 ：电容特性
    1
    100
    0
    100
    10µs
    10
    I
    D
    （安培）
    R
    DS （ ON）
    有限
    100µs
    100
    10µs
    10
    I
    D
    （安培）
    R
    DS （ ON）
    有限
    100µs
    1ms
    1
    DC
    0.1
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    C
    =25°C
    1ms
    1
    10ms
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    C
    =25°C
    0.1s
    1s
    0.1
    DC
    0.01
    1
    10
    V
    DS
    （伏）
    图9 ：最大正向偏置安全
    对于AOT11N60 （注F）工作区
    100
    1000
    0.01
    1
    10
    V
    DS
    （伏）
    图10 ：最大正向偏置安全工作
    对于AOTF11N60区（注F）
    100
    1000
    100
    12
    10µs
    100µs
    1ms
    10ms
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    C
    =25°C
    0.1s
    1s
    额定电流我
    D
    (A)
    10
    I
    D
    （安培）
    R
    DS （ ON）
    有限
    10
    8
    6
    4
    2
    0
    1
    0.1
    DC
    0.01
    1
    10
    100
    1000
    V
    DS
    （伏）
    图11 ：最大正向偏置安全工作区
    对于AOTF11N60L （注F）
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    例
    (°
    C)
    图12 ：电流降评级（注二）
    4/6
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