AOT11N60/AOTF11N60
600V ，11A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET工艺是这样的AOT11N60 & AOTF11N60已经制造
旨在提供流行的AC- DC applications.By提供高水平的性能和健壮性
低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的
和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
700V@150℃
11A
< 0.65Ω
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
AOT11N60
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
AOTF11N60
600
±30
11*
8*
39
4.8
345
690
5
50
0.4
-55到150
300
AOTF11N60L
单位
V
V
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
G
11
8
11*
8*
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
AOTF11N60L
65
--
3.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
C
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
AOT11N60
65
0.5
0.46
272
2.2
37.9
0.3
AOTF11N60
65
--
2.5
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
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