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AON5810 参数 Datasheet PDF下载

AON5810图片预览
型号: AON5810
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内容描述: 常见的漏双N Channrl增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channrl Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 546 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AON5810
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=7.7A
A
电容(pF)
2400
C
国际空间站
1800
4
V
GS
(伏)
3
1200
2
0.5
600
C
OSS
1
1
0
0
3
6
9
12
15
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100.0
10µs
功率(W)的
0
0
C
RSS
10
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
15
200
160
120
80
40
0
0.0001
0.1
1
10
100
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注五)
T
J(下最大)
=150°
C
C
T
A
=25°
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
100µs
1.0
DC
T
J(下最大)
=150° T
A
=25°
C,
C
0.1
1ms
10ms
100ms
1s
10s
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJA
R
θJA
=75°
C / W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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