AON5810 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AON5810
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内容描述：	常见的漏双N Channrl增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channrl Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 546 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AON5810

常见的漏双N Channrl增强

型场效应晶体管

概述

该AON5810采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，同时保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。这是ESD保护。这

装置适合于用作单向或双向负荷开关，通过它的共漏极便利

配置。

标准产品AON5810是无铅的（符合ROHS &索尼259规格）。 AON5810L

是一种绿色产品订购选项。 AON5810和AON5810L是电相同。

特点

(V) = 20V

= 7.7 （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 18毫欧（V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 19米（V

= 4.0V)

DS （ ON）

< 21米（V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 25毫欧（V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 40毫欧（V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

DFN 2X5

D1/D2

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前ř

θJA

=75°

C / W

漏电流脉冲

最大

±12

7.7

6.1

1.6

1.0

-55到150

单位

=25°

=70°

帝斯曼

, T

英镑

=25°

功耗

θJA

=75°

C / W

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

4.5

最大

单位

C / W

1/4

www.freescale.net.cn

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