AON4605
30V互补MOSFET
P沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
民
-30
-1
典型值
最大
单位
V
-5
100
-1.4
-13
77
110
140
180
-1
-2.5
197
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
3.5
42
26
7.2
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-3.4A
2.2
0.7
1.1
7.5
V
GS
=10V, V
DS
= -15V ，R
L
=4.4Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
2
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
µA
nA
V
A
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-3.4A
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
DS
= -5V ，我
D
=-3.4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-1.9
-2.4
100
125
6
-0.8
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
240
37
11.0
5.2
3
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3.4A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
11.8
3.8
11.3
4.4
14
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的值
C.
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
6/9
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