AON4605
30V互补MOSFET
概述
该AON4605采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET组成一个高速逆变电源,适用于多种应用。
特点
N沟道
V
DS
= 30V
I
D
= 4.3A (V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
< 50米
< 70米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-3.4A (V
GS
=-10V)
R
DS ( ON)
< 110米
< 180米
(VGS=-10V)
(VGS=-4.5V)
D1
顶视图
S1
G1
S2
G2
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D1
D1
D2
D2
G1
S1
G2
S2
N沟道
P沟道
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
参数
符号
最大的n沟道
漏源电压
30
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大的p沟道
-30
±20
-3.4
-2.7
-13
1.9
1.2
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
±20
4.3
3.4
18
1.9
1.2
-55到150
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
51.5
82
40
最大
65
100
50
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/9
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