AON3406
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
0
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=10A
电容（pF）
1500
1250
C
国际空间站
1000
750
500
C
OSS
250
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
100
10µs
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100µs
1ms
DC
10ms
100ms
10s
功率（W）的
80
800
140
80
0.5
15
7
220
140
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
60
1.0
40
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
20
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.0001 0.001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=42°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
0.1
P
D
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
单脉冲
性能和可靠性，恕不另行通知
0.01
0.00001
T
on
T
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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