AON3406
30V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
30
4.5V
25
20
I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
22
20
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
18
16
14
12
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
3.5V
5V
4V
10V
I
D
(A)
32
28
24
20
16
12
8
V
GS
=3V
4
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
25°C
125°C
V
DS
=5V
800
140
80
0.5
15
7
220
140
V
GS
=10V
I
D
=10A
V
GS
=4.5V
I
D
=9A
50
I
D
=10A
40
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
I
S
(A)
125°C
1.0E-02
125°C
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-03
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT OF20
此类应用及其产品的使用。 AOS保留改进产品设计的权利，
25°C
1.0E-04
性能和可靠性，恕不另行通知
10
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
30
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