AOD468/AOI468
300V ， 11.5A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
= 240V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250µA
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
= 40V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.4
4
0.31
11
0.74
1
12
29
500
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
55
3
1.3
10
V
GS
=10V, V
DS
= 240V ，我
D
=12A
632
90
7
2.7
12.8
4.4
4.3
18
V
GS
=10V, V
DS
= 150V ，我
D
=12A,
R
G
=25Ω
I
F
=12A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=100V
130
1
31
36
20
170
1.3
205
1.6
790
125
11
4.1
16
300
350
0.29
1
10
±100
4.5
0.42
V
V / C
µA
nΑ
V
Ω
S
V
A
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
µC
o
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/µs,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175 ℃，在一个TO252封装，使用结到外壳的热阻，并且是在环境更有益
上功耗限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性1〜6使用<300获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 3.8A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 10Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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