AOD468/AOI468
300V ， 11.5A N沟道MOSFET
概述
概述
使用，其被设计先进的高电压MOSFET工艺的AOD468 & AOI468已经制造
提供高水平的性能和鲁棒性流行AC- DC applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的和现有的离线
电源designs.These部分是理想的升压转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
100 ％ UIS测试！
100% R
g
测试了！
350V@150℃
11.5A
<0.42Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
B
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
符号
V
DS
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
最大
300
±30
11.5
8.3
29
3.8
216
430
5
150
1
-50至175
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
最大外壳到散热器
最大结到外壳
D，F
A
A，G
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
45
-
0.7
最大
55
0.5
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
