AOD409/AOI409
P沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-20A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-20A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.2
-60
32
53
43
32
-0.73
-1
-30
2977
V
GS
=0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
241
153
2
44
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，我
D
=-20A
22.2
9
10
12
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，R
L
=1.5Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
14.5
38
15
40
59
50
2.4
54
28
3600
55
40
-1.9
民
-60
-0.003
-1
-5
±100
-2.4
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -20A ，的di / dt = 100A / μs的
一，R qJA的值测量安装在1英寸2 FR- 4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗电力需求侧管理是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度FO 175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B.功耗PD是基于T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是结到当R QJC和案例的热阻抗到环境的总和。
图E的静态特性1 〜6使用<300毫秒脉冲，占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
*此设备是保证数据的代码8X11 （ 9月1日之后的绿色
ST
2008).
第5版： 2011年1月
2/6
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