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AOI409 参数 Datasheet PDF下载

AOI409图片预览
型号: AOI409
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内容描述: P沟道增强型场 [P-Channel Enhancement Mode Field]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 952 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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AOD409/AOI409
P沟道增强型场
场效应晶体管
概述
在AOD / I409采用先进的沟槽技术,提供优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和低
栅极电阻。与DPAK封装的优异的耐热性,该装置很适合于
高电流负载的应用。
特点
V
DS
(V) = -60V
I
D
= -26A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 40MΩ (V
GS
= -10V ) @ -20A
R
DS ( ON)
< 55mΩ (V
GS
= -4.5V)
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
-60
±20
-26
-18
-60
-26
33.8
60
30
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
16.7
40
1.9
最大
25
50
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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