欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AO8830 参数 Datasheet PDF下载

AO8830图片预览
型号: AO8830
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 435 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
 浏览型号AO8830的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO8830的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO8830的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO8830的Datasheet PDF文件第5页  
典型的电气和热特性
400
V
DS
=10V
I
D
=6A
电容(pF
)
C
国际空间站
300
5
4
V
GS
(伏
s)
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
QG ( NC )
图7 :栅极电荷特性
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
T
J(下最大)
= 150℃ ,T
A
=25°C
10µs
功率(W)的
30
25
20
15
10
5
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
(安培)
1ms
1
R
DS ( ON)
有限
0.1
0.1
1
DC
10s
10
100
10ms
100ms
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.01
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
4/5
www.freescale.net.cn