AO8830 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8830
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 435 K
品牌：	SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]

AO8830

常见的漏双N沟道增强

型场效应晶体管

概述

该AO8830 / L采用了先进的沟槽技术，提供优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，同时保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。此装置适用于

用作单向或双向负荷开关，通过它的共漏极组态容易。

AO8830和AO8830L是电相同。

-RoHS标准

-AO8830L是无卤

特点

(V) = 20V

= 6 A（V

= 10V)

DS （ ON）

< 27mΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 37MΩ （V

= 3.1V)

DS （ ON）

< 41mΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 55mΩ （V

= 1.8V)

D1/D2

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

1.6K

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

最大

±12

4.8

1.5

0.94

-55到150

单位

=25°C

=70°C

, T

英镑

=70°C

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

115

最大

140

单位

° C / W

1/5

www.freescale.net.cn

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