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AO6601 参数 Datasheet PDF下载

AO6601图片预览
型号: AO6601
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内容描述: 氮磷通道32 -V ( DS ) MOSFET高性能沟道技术 [N & P-Channel 32-V (D-S) MOSFET High performance trench technology]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 517 K
品牌: SHENZHENFREESCALE [ ShenZhen FreesCale Electronics. Co., Ltd ]
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飞思卡尔
AO6601 / MC6601
典型电气特性( N沟道)
30
V
GS
= 10V
24
I
D
- 漏电流( A)
4.5V
4.0V
18
I
D
- 漏电流(A )
12
125
o
C
9
15
T
A
= -55
o
C
25
o
C
12
6
6
3.0V
3
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压( V)
输出特性
400
传输特性
4
r
DS ( ON)
- 归一导通电阻
Ç - 电容(pF )
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
3
2
4.5V
1
10V
0
0
6
12
18
24
30
0
0
6
12
18
24
30
VDS - 漏极至源极电压(V )
I
D
- 漏电流( A)
导通电阻与漏电流
电容
r
DS ( ON)
- 导通电阻(标准化)
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压( V)
1.6
V
GS
= 10V
1.4
8
6
1.2
4
1
0.8
2
0.6
0
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
o
100
125
150
T
J
- 结温( C)
Q
g
- 总栅极电荷( NC)
栅极电荷
导通电阻与结温
3
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